[发明专利]无接面晶体管元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810290573.0 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109887994A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗育;黄竞加;范恭鸣 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种无接面晶体管元件，包括：一半导体基底、一通道、一第一源/漏极、一第二源/漏极、一栅极及一栅极介电层。该通道包括一横向延伸的一第一通道及一垂直延伸的一第二通道。该第一源/漏极接触该第一通道，该第二源/漏极接触该第二通道。该通道、该第一源/漏极及该第二源/漏极具有相同的第一掺杂形态。该栅极沉积在该第一通道的一上表面及该第二通道的侧表面上，且该栅极具有与该第一掺杂形态不同的一第二掺杂形态。该栅极介电层沉积在该栅极与该通道之间。 | ||
| 搜索关键词： | 源/漏极 接面晶体管 栅极介电层 掺杂 沉积 半导体基底 横向延伸 侧表面 上表面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种无接面晶体管元件，包括：一半导体基底，具有一表面；一通道，形成在该半导体基底上，且该通道包括一第一通道，其实质平行该半导体基底的该表面并横向延伸，以及一第二通道，其实质垂直该半导体基底的该表面并垂直延伸，其中该第一通道及该第二通道在一末端相接触，且该通道具有一第一掺杂形态；一第一源/漏极，形成在该半导体基底上，并与该第一通道接触，其中该第一源/漏极具有该第一掺杂形态；一第二源/漏极，形成在该半导体基底上，并与该第二通道接触，其中该第二源/漏极具有该第一掺杂形态；以及一栅极，形成在该第一通道的一上表面及该第二通道的侧表面上，该栅极具有一第二掺杂形态，其中该第二掺杂形态与该第一掺杂形态不同。
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