[发明专利]LCP基挠性覆铜板的制造方法及其制品在审
| 申请号： | 201810291943.2 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108411247A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王志建;杨志刚;张志强;宋红林 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/48;C23C14/32;C23C14/35;C23C14/20;C25D3/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱铁宏;刘林华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及LCP基挠性覆铜板的制造方法及其制品。具体而言，公开了一种制造LCP基挠性覆铜板的方法，包括提供LCP基材并对LCP基材进行霍尔离子源前处理；通过离子注入在LCP基材的表面内一定深度范围形成离子注入层；进行等离子体沉积以在离子注入层上沉积形成等离子体沉积层；进行磁控溅射沉积以在等离子体沉积层上沉积铜离子来形成磁控溅射沉积层；以及在磁控溅射沉积层上镀覆加厚铜层以制得LCP基挠性覆铜板。此外，还公开了一种LCP基挠性覆铜板。其中，LCP基挠性覆铜板的铜箔与LCP基材的剥离强度大于或等于0.5N/mm并且二者之间的表面粗糙度≤0.3μm，以及LCP基挠性覆铜板的双面铜箔厚度公差不超过4.3μm而单面铜箔厚度公差不超过3.4μm。 | ||
| 搜索关键词： | 挠性覆铜板 基材 磁控溅射沉积 等离子体沉积 离子注入层 厚度公差 沉积 制造 表面粗糙度 霍尔离子源 加厚 单面铜箔 双面铜箔 前处理 铜离子 镀覆 铜箔 铜层 离子 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种制造LCP基挠性覆铜板的方法，包括：提供LCP基材并对所述LCP基材进行霍尔离子源前处理以清洗所述LCP基材的表面；通过离子注入在所述LCP基材上注入第一金属离子，以在所述LCP基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的所述LCP基材进行等离子体沉积，以在所述离子注入层上沉积第二金属离子来形成等离子体沉积层；进行磁控溅射沉积以在所述等离子体沉积层上沉积铜离子来形成磁控溅射沉积层；以及在所述磁控溅射沉积层上镀覆加厚铜层以制得所述LCP基挠性覆铜板；其中，在制造所述LCP基挠性覆铜板的过程中，控制所述LCP基材温度始终低于200°C。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光谷创元电子有限公司，未经武汉光谷创元电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810291943.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
