[发明专利]一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路有效
| 申请号： | 201810298681.2 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108768362B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 谢芳 | 申请（专利权）人： | 上海申矽凌微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，包括依次连接的：电源检测锁存部分、反相延时部分以及与非门部分；电源检测锁存部分的PMOS管M105与NMOS管M106的栅极相互连接作为第一节点，漏极相互连接作为第二节点；PMOS管M101的漏极、PMOS管M104的漏极以及电容C107的一端分别连接第一节点，NMOS管M103的漏极通过分压器件连接第一节点，NMOS管M103的栅极连接与非门部分，PMOS管M101的栅极接地，PMOS管M104的栅极连接第二节点，第一节点还连接反相延时部分，第二节点连接反相延时部分。本发明电路简单有效，工艺层次简单，布版图的面积小，成本低，电路工作一致性好，实现了静态无功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 mos 静态 功耗 复位 电路 | ||
【主权项】：
1.一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，其特征在于，包括依次连接的：电源检测锁存部分、反相延时部分以及与非门部分；所述电源检测锁存部分包括：PMOS管M101、分压器件、NMOS管M103、PMOS管M104、PMOS管M105、NMOS管M106以及电容C107，所述PMOS管M105与所述NMOS管M106的栅极相互连接作为第一节点，漏极相互连接作为第二节点；所述PMOS管M101的漏极、所述PMOS管M104的漏极以及所述电容C107的一端分别连接所述第一节点，所述NMOS管M103的漏极通过所述分压器件连接所述第一节点，所述NMOS管M103的栅极连接所述与非门部分，所述PMOS管M101的栅极接地，所述PMOS管M104的栅极连接所述第二节点，所述第一节点还连接所述反相延时部分，所述第二节点连接所述反相延时部分。
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