[发明专利]半导体器件

摘要

提供了制造相移掩模的方法和制造半导体器件的方法。制造相移掩模的方法包括准备透射衬底，第一掩模区域和围绕第一掩模区域的第二掩模区域被限定在透射衬底上。在第一掩模区域中，主图案形成为在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上具有第一节距。主图案的每个具有第一面积。在至少一行中，辅助图案以第一节距形成为围绕主图案。辅助图案的每个具有小于第一面积的第二面积。在第二掩模区域中，虚设图案形成为多个行。虚设图案以第一节距围绕辅助图案。虚设图案的每个具有大于第一面积的第三面积。

主权项

1.一种制造相移掩模的方法，所述方法包括：准备透射衬底，第一掩模区域和围绕所述第一掩模区域的第二掩模区域被限定在所述透射衬底上；以及在所述第一掩模区域中形成在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一节距的主图案，所述主图案的每个具有第一面积；以至少一行形成围绕所述主图案并具有所述第一节距的辅助图案，所述辅助图案的每个具有小于所述第一面积的第二面积；以及在所述第二掩模区域中以多个行形成虚设图案，所述虚设图案围绕所述辅助图案并且具有所述第一节距，所述虚设图案的每个具有大于所述第一面积的第三面积。