[发明专利]微芯片的嵌入装置及其嵌入方法在审
| 申请号： | 201810301857.5 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110349866A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张晓勇;赖磊平;吴坤旭;刘茗 | 申请（专利权）人： | 上海瑞章物联网技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201616 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微芯片的嵌入装置及其嵌入方法，其中，微芯片的嵌入装置包括：溶液腔室，用于盛载溶液，所述溶液用于浸没基底；位于溶液腔室底部的高度调整装置，用于调整基底的运动基准面，所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角；运动控制装置，用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动，所述运动包括第一运动和第一运动之后的第二运动，所述第一运动具有第一速率，所述第二运动具有第二速率，且所述第一速率大于第二速率。利用所述微芯片的嵌入装置对微芯片的嵌入效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 微芯片 嵌入装置 溶液腔室 运动基准 嵌入 基底 高度调整装置 运动控制装置 浸没 基底沿 平行 | ||
【主权项】：
1.一种微芯片的嵌入装置，其特征在于，包括：溶液腔室，用于盛载溶液，所述溶液用于浸没基底；位于溶液腔室底部的高度调整装置，用于调整基底的运动基准面，所述运动基准面与溶液腔室底部之间具有夹角；运动控制装置，用于控制所述基底沿平行于运动基准面运动，所述运动包括第一运动以及第一运动之后的第二运动，所述第一运动具有第一速率，所述第二运动具有第二速率，且所述第一速率大于第二速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
