[发明专利]自对准接触结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810303653.5 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110349908B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 陈思涵;陈建廷;蔡耀庭;廖修汉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准接触结构及其形成方法。该自对准接触结构的形成方法包括：提供基板，其上形成有栅极结构；形成间隔物衬层于栅极结构及基板上；形成牺牲层于栅极结构之间及之上；形成介电插塞穿过栅极结构上方的牺牲层；移除牺牲层以形成栅极结构之间的接触开口；顺应性地形成抗刻蚀层覆盖接触开口的侧壁及底部；以及形成接触插塞于接触开口之中。本发明避免了栅极结构与自对准接触结构之间的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准接触结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一基板，其上形成有多个栅极结构；形成一间隔物衬层于该多个栅极结构及该基板上；形成一牺牲层于该多个栅极结构之间及之上；形成多个介电插塞穿过该多个栅极结构上方的该牺牲层；移除该牺牲层以形成该多个栅极结构之间的多个接触开口；顺应性地形成一抗刻蚀层覆盖该多个接触开口的侧壁及底部；以及形成多个接触插塞于该多个接触开口之中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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