[发明专利]半导体制造装置和用于半导体制造的方法有效
| 申请号： | 201810307831.1 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN109585331B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 许泳顺;张景郁;张乔凯;谢伟康;林建坊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了半导体制造装置。半导体制造装置包括处理室；提供在处理室中并且被配置为固定和旋转半导体晶圆的衬底台；配置为将化学物质喷射至处理室的气体喷射器；附接至气体喷射器的窗口；以及与气体喷射器和窗口耦接的可调式紧固器件。本发明实施例涉及具有可调式气体喷射器的集成电路制造系统。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 用于 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，包括：处理室；衬底台，提供在所述处理室中并且被配置为固定和旋转半导体晶圆；气体喷射器，配置为将化学物质喷射至所述处理室；窗口，附接至所述气体喷射器；以及可调式紧固器件，与所述气体喷射器和所述窗口耦接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810307831.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆冷却系统
- 下一篇：清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
