[发明专利]闪存单元及半导体结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元及半导体结构的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层；同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层，在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层。由于形成所述连接区的第一开口及去除所述外围区的第一介质层是在同时完成的，简化了工艺，提高了效率，并且，由于形成了第一开口，后续可以沿着所述第一开口的底部去除连接区的第一介质层，而所述器件区由于还有第二介质层保护，不会对器件区造成影响，工艺简单、减少了刻蚀的步骤并且节约了光罩。

主权项

1.一种闪存单元的制备方法，其特征在于，所述闪存单元的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区、连接区及外围区；在所述衬底上依次形成栅极层、第一介质层及第二介质层；同时刻蚀所述连接区及所述外围区的第二介质层，在所述连接区形成第一开口并去除所述外围区的第二介质层；去除所述第一开口底部及所述外围区的第一介质层，在所述连接区形成第二开口；去除所述第二开口底部及所述外围区的栅极层，在所述连接区形成第三开口。