[发明专利]老化性能优良的低残压直流压敏电阻制备方法在审

专利信息
申请号: 201810314296.2 申请日: 2018-04-10
公开(公告)号: CN108439972A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 何金良;胡军;王晓强;赵锐;孟鹏飞;王忠;冯利伟 申请(专利权)人: 清华大学;国网山西省电力公司大同供电公司
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88;H01C7/112;H01C17/28;H01C17/30
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 刘立春
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种老化性能优良的低残压压敏电阻制备方法,包括辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤。所述辅助添加浆料的成分包括Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Co2O3、NiO、B2O3、Al(NO3)3、K2SO4、CaCO3、MgO、去离子水。其有益效果是:采用本发明方法带来的有益变化是,基本保持了直流压敏电阻的制造工艺,使得电阻片的制造周期缩短,不使用渗铋工艺,直流压敏电阻的制造工艺被简化。由于新发明在配方和工艺上均进行了改进,使得新的直流压敏电阻具有优良的特性。
搜索关键词: 直流压敏电阻 老化性能 制造工艺 残压 制备 成型步骤 辅料配制 去离子水 烧结步骤 压敏电阻 制造周期 电阻片 混料 浆料 磨片 配方 改进
【主权项】:
1.一种老化性能优良的低残压压敏电阻制备方法,包括辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤,其特征在于,所述辅料配制步骤、混料步骤、成型步骤、烧结步骤、磨片步骤依次进行经过辅料配制步骤获得辅助添加浆料,所述辅助添加浆料经过混合步骤获得ZnO浆料,所述ZnO浆料经过成型步骤获得ZnO坯体,所述ZnO坯体经过介绍步骤获得ZnO陶瓷,将所述ZnO陶瓷经过磨片步骤获得压敏电阻。
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