[发明专利]具有异质接触件的集成电路在审
申请号: | 201810315561.9 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108695319A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 金兑衡;都桢湖;文大英;白尚叶;林哉炫;崔在承;韩相信 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L23/528;H01L27/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种集成电路,其包含:多个导电线,其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸,且包含第一导电线和第二导电线;源极/漏极接触件,其具有连接到源极/漏极区域的底部表面,且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件;以及栅极接触件,其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸,其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方,且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。 | ||
搜索关键词: | 导电线 接触件 源极/漏极 底部表面 漏极接触 上部源 栅极接触 栅极线 竖直 集成电路 源极/漏极区域 彼此连接 顶部表面 延伸 异质 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:第一有源区域,在衬底上在第一水平方向上延伸;栅极线,在所述第一有源区域上在第二水平方向上延伸,所述第二水平方向与所述第一水平方向交叉;源极/漏极区域,在所述第一有源区域上形成于所述栅极线的一侧处;多个导电线,在与所述栅极线分离的平面上在所述第一水平方向上延伸,且包括第一导电线和第二导电线;源极/漏极接触件,具有连接到所述源极/漏极区域的底部表面,且包括在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件;以及栅极接触件,具有连接到所述栅极线的底部表面,且在所述竖直方向上延伸,其中所述上部源极/漏极接触件放置在所述第一导电线下方,以及所述栅极接触件放置在所述第二导电线下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的