[发明专利]动态随机存取存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 201810315574.6 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109960604A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李忠勋;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/44 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑特强;刘潇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有数据更正功能的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该动态随机存取存储器包括一存储器阵列；一控制电路，经配置以接收一读取位址及该读取位址的一缺陷信息；一存取电路，经配置以根据来自该控制电路的该读取位址而从该存储器阵列产生一读取数据；以及连接到该存取电路和该控制电路的一修改电路，其中该修改电路经配置以根据该缺陷信息而修改该读取数据的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 动态随机存取存储器 读取位址 控制电路 存储器阵列 存取电路 缺陷信息 配置 数据更正 电路 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器(DRAM)，包括：一存储器阵列；一控制电路，经配置以接收一读取位址及该读取位址的一缺陷信息；一存取电路，经配置以根据来自该控制电路的该读取位址而从该存储器阵列产生一读取数据；以及一修改电路，连接到该存取电路和该控制电路，其中该修改电路经配置以根据该缺陷信息而修改该读取数据的一部分。
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