[发明专利]一种PCB背钻对准度的测试结构和方法有效
申请号: | 201810315611.3 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108511360B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 万里鹏;刘梦茹;纪成光 | 申请(专利权)人: | 生益电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 523127 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种PCB背钻对准度的测试结构和方法,涉及PCB的制造技术。该方法包括:在PCB上设置测试结构;钻出所述测试结构上的一钻孔和参考孔;对所述一钻孔进行背钻,获得背钻孔;通过所述背钻孔与所述参考孔的位置关系确定背钻对准度。本发明在进行线路图形上的背钻之前,以测试结构上的背钻作为参考,通过背钻孔与几个参考孔之间的位置关系,判断背钻是否偏孔,从而决定是否可以正常生产。一方面,可以直接从模块的表面判断是否偏孔,无需放大观察孔壁;另一方面预先在模块上进行背钻并检验,可避免线路图形上的背钻不合格造成的浪费。 | ||
搜索关键词: | 一种 pcb 对准 测试 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种PCB背钻对准度的测试结构,其特征在于,包括:多个由一个一钻孔和多个参考孔组成的测试单元;所述测试单元中,多个所述参考孔围绕所述一钻孔设置,所述一钻孔与每个所述参考孔的孔心距相等;所述一钻孔经过背钻获得背钻孔,所述背钻孔的圆心与所述一钻孔的圆心重合时,所述背钻孔的孔壁到所述参考孔的孔壁的最小距离为设定的孔间距;多个所述测试单元对应多个所述孔间距的取值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造