[发明专利]一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺

摘要

本发明公开的属于太阳能电池制造技术领域，具体为一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可，该发明提出的一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，采用板式PECVD，能够激发出高均匀度的等离子，在沉积过程中不需要硅片和石墨框的作用，均匀性好，大大降低了电池片边缘发白率，增加电池成品率及转换效率，制备工艺简单，成本低廉。

主权项

1.一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于：该用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺包括如下步骤：S1：将硅片置于石墨舟中，然后送入板式PECVD中，然后对板式PECVD进行抽真空处理，并通入惰性气体；S2：将板式PECVD内划分为7个不同的温度区域，7个不同的温度区域的温度分别为340‑360摄氏度、360‑380摄氏度、380‑400摄氏度、400‑420摄氏度、420‑440摄氏度、440‑460摄氏度和460‑480摄氏度；S3：采用氮气为输送气体，通入硅烷和氨气的混合气体，硅片在7个不同的温度区域的时间分别为10‑12秒、10‑12秒、10‑12秒、10‑12秒、10‑12秒、5‑8秒和4‑6秒；S4：冷却，然后清理硅片的表面即可。