[发明专利]光刻模型生成方法以及OPC修正方法有效
| 申请号： | 201810322842.7 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110361927B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种光刻模型生成方法及OPC修正方法，本发明提供的光刻模型生成方法包括：提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案；将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝，所述多个子狭缝为连续的；获得每个子狭缝的子光刻模型；则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。由此，能够正确的实现EUV光刻模型的建立，并且是生成了能够实现与一整个弧形狭缝相符合的连续的光刻模型。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 模型 生成 方法 以及 opc 修正 | ||
【主权项】：
1.一种光刻模型生成方法，其特征在于，包括：提供与光刻系统的弧形狭缝一致的弧形狭缝图案；将弧形狭缝图案沿径向分为多个子狭缝，所述多个子狭缝为连续的；获得每个子狭缝的子光刻模型；则晶圆上一个区域的光刻模型为该区域所对应的多个所述子狭缝的子光刻模型的平均值。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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