[发明专利]在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法在审
| 申请号： | 201810323187.7 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108336014A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 罗加聘;柯天麒;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法，包括：在所述半导体材料层中形成沟槽；对所述沟槽的壁进行化学方法去除处理以去除预定厚度；以及在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上形成氧化物层。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法、沟槽隔离结构、以及图像传感器。本公开能够减小或抑制沟槽隔离结构引起的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽隔离结构 半导体材料层 去除 图像传感器 氧化物层 漏电流 减小 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体材料层中形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括：在所述半导体材料层中形成沟槽；对所述沟槽的壁进行化学方法去除处理以去除预定厚度；以及在经过所述化学方法去除处理的所述沟槽的壁上形成氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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