[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810324131.3 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN109494226B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。可以提供半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括形成在基板上方的源线。所述半导体器件可以包括沟道图案，所述沟道图案包括设置在所述源线上方的连接部和沿着第一方向从所述连接部突出的柱部。所述半导体器件可以包括阱结构，所述阱结构沿着所述第一方向从所述连接部突出并且与所述源线分隔开。所述半导体器件可以包括源接触结构，所述源接触结构沿着所述第一方向从所述源线突出并且穿过所述连接部。所述半导体器件可以包括栅极堆叠物，所述栅极堆叠物设置在所述源接触结构和所述阱结构之间并且包围所述连接部上方的所述柱部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：源线，该源线形成在基板的上方；沟道图案，该沟道图案包括设置在所述源线上方的连接部和沿着第一方向从所述连接部突出的柱部；阱结构，该阱结构沿着所述第一方向从所述连接部突出并且与所述源线分隔开；源接触结构，该源接触结构沿着所述第一方向从所述源线突出并且穿过所述连接部；以及栅极堆叠物，该栅极堆叠物设置在所述源接触结构和所述阱结构之间并且在所述连接部上方包围所述柱部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810324131.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体存储器件及其制造方法
