[发明专利]一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺

摘要

本发明涉及单晶硅片技术领域，且公开了一种单晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：取APM溶液250g‑300g加入到容积为150‑180升的工艺槽中，向工艺槽中加入140‑150升的清洗液，保持温度在45‑55度之间，对单晶硅片进行喷淋，然后采用去离子水循环冲洗。该单晶硅片的清洗方法的处理工艺，通过APM溶液能去除单晶硅片表面的粒子、部分有机物和部分金属，有效的对单晶硅片进行初步的清洗，方便了后续的清洗作业，通过采用JG‑JT全自动硅片脱胶机以及超声波清洗机进行脱胶以及清洗，能够有效的破坏污物与单晶硅片表面吸附，有效的对单晶硅片进行清理，解决了传统清洗方法大多只是对其表表面的颗粒状杂质进行清理，并不能保证单晶硅片表面的清洁的问题。

主权项

1.一种单晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：1)预清洗：取APM溶液250g‑300g加入到容积为150‑180升的工艺槽中，向工艺槽中加入140‑150升的清洗液，保持温度在45‑55度之间，对单晶硅片进行喷淋，然后采用去离子水循环冲洗；2)脱胶：采用JG‑JT全自动硅片脱胶机，其中喷淋压力0.015‑0.017兆帕，乳酸使用寿命90刀，隔板放置间距50‑80mm；3)超声波清洗：采用超声波清洗机，超声频率为40KHZ，加入清洗剂90‑100升，清洗槽温度在40‑55度之间，清洗时间4‑6分钟；4)有机溶剂清洗：采用丙酮溶液投入到清洗槽内部，清洗10分钟，然后用去离子水循环冲洗；5)SPM清洗：采用SPM清洗液120‑130升，保持温度在550‑600度之间，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗；6)HPM清洗：采用HPM清洗液120‑130升，保持温度在570度左右，清洗十分钟，然后采用去离子水循环冲洗；7)烘干：可采用烘干或甩干进行干燥。