[发明专利]一种阵列基板的制备方法及清洗液有效
| 申请号： | 201810333856.9 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108573856B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘三泓 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种清洗液，用于清洗阵列基板上包括铜‑苯并三氮唑配合物的钝化膜，所述清洗液包括水、无机碱、有机胺及铜螯合剂；所述清洗液的pH为10～11；所述铜螯合剂与铜的螯合能力大于苯并三氮唑与铜的螯合能力，并能生成水溶性络合物；所述有机胺用于断裂所述铜‑苯并三氮唑配合物中的配位键及溶解苯并三氮唑。该清洗液主要用于对采用含苯并三氮唑的光阻剥离液剥离光阻图案层后的阵列基板进行清洗。本发明还提供了该清洗液在阵列基板制备中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 清洗 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
