[发明专利]一种ITO基片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810334699.3 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108365001A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;廖良生;梁舰 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO基片及其制备方法，属于导电薄膜技术领域。本发明的ITO基片包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。电荷转移抑制层抑制了ITO电极层表面与离型膜之间的电荷转移，避免了因电荷转移造成的器件性能下降的问题，同时，在离型膜剥离后，电荷转移抑制层还可作为有机光电器件的空穴注入层，同一膜层结构能够实现不同功能，节约了器件制作成本。本发明可广泛应用于各类有机光电器件的制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷转移 离型膜 抑制层 有机光电器件 制备 空穴注入层 离型膜剥离 导电薄膜 膜层结构 器件性能 器件制作 依次设置 基板 节约 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，其特征在于，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。
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