[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201810339712.4 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108321273B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶层 基板 半导体 发光二极管结构 导电结构层 反射 暴露 覆盖 配置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：/n基板，具有上表面；/n半导体磊晶结构，设置在该基板的该上表面上，且暴露出部分该上表面，该半导体磊晶结构包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层，依序设置在该基板上，该半导体磊晶结构的一侧表面包括该第一型半导体层、该发光层以及该第二型半导体层；/n第一绝缘层，覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面及该基板被暴露出的部分该上表面，并暴露出部分该半导体磊晶结构；/n导电层，至少部分设置在该第一绝缘层所暴露出的部分该半导体磊晶结构上，且与该半导体磊晶结构电性连接；/n布拉格反射镜层，设置在该导电层与该第一绝缘层上，其中该基板被暴露出的部分该上表面的至少局部为部分该布拉格反射镜层所覆盖；/n第二绝缘层，设置在该布拉格反射镜层上；以及/n至少一电极设置在该布拉格反射镜层上，且电性连接该导电层及该半导体磊晶结构，/n其中该发光二极管结构具有平的侧表面，该平的侧表面包括该基板、该第一绝缘层及该第二绝缘层。/n
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