[发明专利]LED衬底的剥离方法有效
| 申请号： | 201810340675.9 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108417523B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 牛小龙;徐相英;姜晓飞 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED衬底的剥离方法，所述LED衬底的剥离方法包括以下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底的表面形成缝隙；加热所述衬底至晶粒生长温度，并于所述衬底的表面生长LED晶粒；冷却所述衬底和所述LED晶粒，并于所述缝隙中加入第一气体发生试剂和第二气体发生试剂，以使所述第一气体发生试剂与所述第二气体发生试剂反应生成气体，并保持所述缝隙内的气压；激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离。本发明的技术方案能够减少LED晶粒与衬底剥离过程中激光照射的时间，提高衬底的剥离效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 衬底 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED衬底的剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底的表面形成缝隙；加热所述衬底至晶粒生长温度，并于所述衬底的表面生长LED晶粒；冷却所述衬底和所述LED晶粒，并于所述缝隙中加入第一气体发生试剂和第二气体发生试剂，以使所述第一气体发生试剂与所述第二气体发生试剂反应生成气体，并保持所述缝隙内的气压；激光照射，从所述衬底的表面将所述LED晶粒剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
