[发明专利]一种高纯度大尺寸GdB4单晶拓扑半金属材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810341414.9 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108441954A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;宁舒羽;赵晶晶;王衍;杨新宇;李志 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B28/02;C30B13/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度大尺寸GdB4单晶拓扑半金属材料的制备方法，是采用放电等离子烧结(SPS)与悬浮区域熔炼相结合的方法制备高质量GdB4单晶体。本方法制备的GdB4单晶体具有尺寸大、质量高的特点；样品为Ф5‑6mm的银灰色圆柱状块体，表面光滑；360°X射线单晶衍射仪测试结果表明单晶体的衍射斑点均清晰、相互独立、没有劈裂，整套点阵均与拟合的点阵完全匹配，说明该单晶体质量良好。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 制备 半金属材料 点阵 高纯度 单晶 拓扑 放电等离子烧结 悬浮区域熔炼 圆柱状块 斑点 拟合 劈裂 衍射 匹配 清晰 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度大尺寸GdB4单晶拓扑半金属材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：混粉与装模在氧含量≤10ppm的氩气气氛中，将纯度≥99.9％的GdH2粉末与B粉末按照原子比1：4的比例混合，研磨混匀后装入石墨模具中；步骤2：GdB4多晶块体的制备将石墨模具置于放电等离子烧结炉的腔体内，在真空条件下烧结，得到GdB4多晶样品；步骤3：GdB4单晶的制备3a、将GdB4多晶样品切割成多晶棒，将两根多晶棒分别作为料棒和籽晶置于光学区域熔炼炉中，在光学区域熔炼炉内通入高纯氩气，升高光学区域熔炼炉的功率至籽晶和料棒熔化并形成稳定熔区，料棒和籽晶反向旋转，进行第一次区熔生长；3b、以第一次区熔生长的产物作为料棒、以多晶棒作为籽晶置于光学区域熔炼炉中，在光学区域熔炼炉内通入高纯氩气，升高光学区域熔炼炉的功率至籽晶和料棒熔化并形成稳定熔区，料棒和籽晶反向旋转，进行第二次区熔生长，即可获得高纯度大尺寸GdB4单晶材料。
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