[发明专利]稀土磁体的制造方法

摘要

本发明涉及稀土磁体的制造方法。提供即使主相的粒径为1～20μm也能够在抑制磁化的降低的同时提高矫顽力的R‑T‑B系稀土磁体的制造方法。稀土磁体的制造方法，其包括：准备由(R1vR2wR3x)yTzBsM1t(R1为轻稀土元素，R2为中稀土元素，R3为重稀土元素，T为铁族元素，M1为杂质元素等)表示的第1合金熔液；以100～102K/秒的速度将第1合金熔液冷却从而得到第1合金块；将第1合金块粉碎从而得到1～20μm的粒径的第1合金粉末；准备由(R4pR5q)100‑uM2u(R4为轻稀土元素，R5为中·重稀土元素，M2为与R4和R5合金化从而使(R4pR5q)100‑uM2u的熔点降低的合金元素等)表示的第2合金熔液；和使第1合金粉末与第2合金熔液接触。

主权项

1.稀土磁体的制造方法，其包括：准备具有由(R1vR2wR3x)yTzBsM1t表示的组成的第1合金熔液，其中，R1为选自Sc、Ce、La和Y中的1种以上，R2为选自Nd、Pr、Sm、Eu和Gd中的1种以上，R3为选自Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上，T为选自Fe、Ni和Co中的1种以上，B为硼，而且，M1为选自Ti、Ga、Zn、Si、Al、Nb、Zr、Mn、V、W、Ta、Ge、Cu、Cr、Hf、Mo、P、C、Mg、Hg、Ag、Au、O和N中的1种以上以及不可避免的杂质元素，并且0.1≤v≤1.0、0≤w≤0.9、0≤x≤0.5和v+w+x＝1.0以及12≤y≤20、5≤s≤20、0≤t≤3和z＝100‑y‑s‑t；以100～102K/秒的速度将所述第1合金熔液冷却，得到第1合金块；将所述第1合金块粉碎，得到具有1～20μm的粒径的第1合金粉末；准备具有由(R4pR5q)100‑uM2u表示的组成的第2合金熔液，其中，R4为选自Sc、Ce、La和Y中的1种以上，R5为选自Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上，M2为通过与R4和R5合金化从而使(R4pR5q)100‑uM2u的熔点低于R4和R5的熔点的1种以上的合金元素以及不可避免的杂质元素，并且0≤p≤0.2、0.8≤q≤1.0、p+q＝1.0和10≤u≤50；和使所述第1合金粉末与所述第2合金熔液接触。