[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810342006.5 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110391247B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘子豪;陈意维;郑存闵;张凯钧;吴佳臻;黄怡安;吴柏志;陈品宏;邱钧杰;陈姿洁;刘志建;蔡志杰;林佶民 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一氮化钛层于一硅层上，然后进行一第一处理制作工艺将氮化钛层以及二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层，形成一导电层于氮化钛硅层上，再图案化该导电层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一氮化钛层于一硅层上；进行一第一处理制作工艺将该氮化钛层以及二氯硅甲烷(dichlorosilane,DCS)反应形成一氮化钛硅(TiSiN)层；形成一导电层于该氮化钛硅层上；以及图案化该导电层、该氮化钛硅层以及该硅层以形成一栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
