[发明专利]一种叠层结构

摘要

本发明提供了一种能够获得ε相氧化镓半导体结晶膜的叠层结构，及相应的制备方法。该叠层结构主要由蓝宝石衬底和ε相氧化镓半导体结晶膜构成，该叠层结构的制备方式是利用化学气相沉积，在蓝宝石衬底上沉积ε相氧化镓半导体结晶膜。所述蓝宝石衬底厚度为100～1000μm，所述蓝宝石衬底的实际表面与蓝宝石c晶面呈0°～10°的偏离角；所述氧化镓半导体结晶膜是具有六方晶系的ε相氧化镓，厚度为0.1～100μm。本发明解决了纯相ε‑Ga2O3结晶膜难于制备的问题，为氧化镓半导体材料的制备提供了一条新技术路线。

主权项

1.一种叠层结构，其特征在于，将氧化镓半导体结晶膜在蓝宝石衬底上叠加而成；所述蓝宝石衬底厚度为100～1000μm，所述蓝宝石衬底的实际表面与蓝宝石c晶面呈0°～10°的偏离角；所述氧化镓半导体结晶膜是具有六方晶系的ε相氧化镓，厚度为0.1～100μm；所述叠层结构的制备方法包括如下步骤：S1：将蓝宝石衬底送入化学气相沉积反应室的托盘上，并让托盘旋转；S2：反应室升温至450～800℃；向反应室通入补充性载气，并将反应室气压控制在20～400Torr；S3：将装有有机金属源、氧源的鼓泡瓶沉浸在恒温水槽中，并通过质量流量计和压力计控制鼓泡瓶的流量和压力；S4：待反应室温度稳定后，同时向有机金属源和氧源的鼓泡瓶通入载气，并让载气流入反应室中；控制生长时间，在蓝宝石衬底表面生长出0.1～100μm的氧化镓半导体结晶膜；S5：保持补充性氩气通入反应室，停止携带有有机金属源和氧源的载气通入反应室，停止生长；降温至室温后取样，即得；其中，S3所述有机金属源为三乙基镓，所述氧源为水。