[发明专利]采用全无机前驱体溶液制备二氧化铪基铁电薄膜的方法及应用在审
申请号: | 201810342873.9 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108493102A | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 周大雨;王雪霞;王静静;马晓倩 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/51 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 陈玲玉 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于材料制备技术领域,公开了采用全无机前驱体溶液制备二氧化铪基铁电薄膜的方法及应用。以无机铪盐和无机高对称相稳定剂为原料,制备不同元素掺杂的二氧化铪基前驱体溶液;随后采用标准RCA工艺清洗基片以除去其表面的杂质污染,随后对基片进行预处理以增加基片表面的润湿性;然后在基片表面沉积二氧化铪基薄膜;最后对薄膜进行预热处理及退火晶化,实现高对称性的正交相、四方相、立方相或其混合相在室温下的稳定,从而使薄膜具有初始本征的或可在外场诱导下产生的铁电性质。本发明所述方法原料价廉成本低,设备和操作环境要求简单,掺杂元素种类的选择灵活多样,铁电性能易于调控,易于实现工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 二氧化铪 薄膜 无机前驱体 基片表面 溶液制备 基铁电 预处理 退火 材料制备技术 前驱体溶液 操作环境 掺杂元素 工艺清洗 铁电性能 铁电性质 预热处理 元素掺杂 杂质污染 混合相 基薄膜 立方相 润湿性 四方相 稳定剂 正交相 外场 本征 晶化 铪盐 沉积 制备 应用 对称 诱导 调控 灵活 | ||
【主权项】:
1.采用全无机前驱体溶液制备二氧化铪基铁电薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:以无机铪盐和无机高对称相稳定剂作为原料,其中高对称相稳定剂的掺杂浓度为1‑50mol%,原料充分溶解于去离子水中形成前驱体溶液,边搅拌边向上述溶液中加入碱性沉淀剂,生成白色絮状沉淀,控制pH值大于7.0;随后用去离子水洗涤离心得到的沉淀,最后将一元酸加入沉淀中,持续磁力搅拌,静置一段时间后得到澄清透明的溶胶,控制澄清溶胶的pH值小于1.0;步骤二:将洁净的基片采用标准RCA步骤进行清洗,随后将吹干的基片进行预处理以增加其与溶胶的润湿性;步骤三:在步骤二预处理后的基片表面沉积一层步骤一制得的溶胶形成薄膜后,将基片置于热板上,在100‑200℃加热1‑5min,重复步骤三,直至到达所需薄膜的厚度;步骤四:将步骤三涂镀有二氧化铪基薄膜的基片进行预热处理,随后进行快速退火处理,得到二氧化铪基铁电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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