[发明专利]一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法有效
申请号: | 201810343741.8 | 申请日: | 2018-04-17 |
公开(公告)号: | CN108511616B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 陈淑芬;冯增勤;于洪涛;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法,包括如下步骤,1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干;2)将基片放于紫外臭氧灯下照射10min,再将空穴传输材料旋涂在透明导电玻璃上,形成空穴传输层;3)使用多次旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液,在空穴传输层旋涂形成钙钛矿发光层;4)在钙钛矿发光层上真空蒸镀电子传输材料,形成电子传输层;5)在电子传输层上依次真空蒸镀电子注入材料和金属,形成电子注入层和阴极层,得到钙钛矿发光二极管器件;6)将发光器件在惰性气体氛围的手套箱中进行封装。本发明提供的多次旋涂法可抑制钙钛矿的结晶,使钙钛矿膜更加致密、均匀,覆盖率大,PL增强,有助于提高发光二极管器件性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿膜层 钙钛矿 发光二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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