[发明专利]一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810343741.8 申请日: 2018-04-17
公开(公告)号: CN108511616B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 陈淑芬;冯增勤;于洪涛;黄维 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 210003 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法,包括如下步骤,1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干;2)将基片放于紫外臭氧灯下照射10min,再将空穴传输材料旋涂在透明导电玻璃上,形成空穴传输层;3)使用多次旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液,在空穴传输层旋涂形成钙钛矿发光层;4)在钙钛矿发光层上真空蒸镀电子传输材料,形成电子传输层;5)在电子传输层上依次真空蒸镀电子注入材料和金属,形成电子注入层和阴极层,得到钙钛矿发光二极管器件;6)将发光器件在惰性气体氛围的手套箱中进行封装。本发明提供的多次旋涂法可抑制钙钛矿的结晶,使钙钛矿膜更加致密、均匀,覆盖率大,PL增强,有助于提高发光二极管器件性能。
搜索关键词: 一种 钙钛矿膜层 钙钛矿 发光二极管 器件 制备 方法
【主权项】:
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