[发明专利]一种单相氮化硅陶瓷及其SPS制备工艺在审
| 申请号： | 201810344234.6 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108503370A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 汪振华;曹丽燕;刘奎;陈明丹;贾继恒 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单相氮化硅陶瓷材料及其SPS制备工艺。本发明的单相氮化硅陶瓷材料，以质量百分数计，包含如下组分：α‑Si3N488％‑98％、MgSiN21％‑5％、Y2O31％‑5％、CeO21％‑2％。本发明通过优化助烧剂的含量和SPS制备工艺，采用放电等离子烧结技术以较快的升温速率和较短的烧结时间制备得到单相氮化硅陶瓷。本发明制备出的单相氮化硅陶瓷材料不但致密度较高，而且力学性能也较优异，添加有5wt％MgSiN2+3wt％Y2O3+1wt％CeO2的Si3N4陶瓷在1650℃下保温6min时其相对密度、断裂韧性和维氏硬度分别达99.40±0.14％，16.53±0.12％GPa和6.89±0.20MPa·m1/2。与现有的单相氮化硅陶瓷材料相比断裂韧性提高了6.53％‑39.04％，硬度提高了9.74％‑14.10％。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅陶瓷材料 制备工艺 氮化硅陶瓷 断裂韧性 制备 放电等离子烧结技术 力学性能 维氏硬度 烧结 速率和 助烧剂 保温 优化 | ||
【主权项】：
1.一种单相氮化硅陶瓷材料，其特征在于，以质量百分数计，包含如下组分：α‑Si3N4 88％‑97％、MgSiN2 1％‑5％、Y2O3 1％‑5％、CeO2 1％‑2％。
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