[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201810344311.8 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108735700A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵在民;徐喜柱;洪性福 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体封装包含位于第一衬底上方的第一半导体芯片、第二衬底、多个支撑结构、连接构件以及模制层。第二衬底位于第一衬底上方。第一半导体芯片位于第一衬底与第二衬底之间。多个支撑结构设置于第二衬底与第一半导体芯片之间。连接构件设置于第一衬底与第二衬底之间。连接构件将第一衬底电连接到第二衬底。模制层填充第一衬底与第二衬底之间的间隙。模制层设置于第一半导体芯片和连接构件上。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体芯片 连接构件 模制层 半导体封装 支撑结构 电连接 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：第一半导体芯片，位于第一衬底上方；第二衬底，位于所述第一衬底上方，所述第一半导体芯片位于所述第一衬底与所述第二衬底之间；多个支撑结构，设置于所述第二衬底与所述第一半导体芯片之间；连接构件，设置于所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述连接构件将所述第一衬底电连接到所述第二衬底；以及模制层，填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙，其中所述模制层设置于所述第一半导体芯片以及所述连接构件上。
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