[发明专利]写入辅助电路有效
| 申请号： | 201810345782.0 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108735260B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 林洋绪;郑基廷;张琮永;吴尚锜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了写入辅助电路，包括：存储器适配锁存器以及存储器适配第三和第四NMOS晶体管。锁存器包括：存储器适配第一PMOS晶体管和存储器适配第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，第一节点选择性地连接至地电压；以及存储器适配第二PMOS晶体管和存储器适配第二NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第二节点之间，第二节点选择性地连接至地电压。第三NMOS晶体管，串联连接在第一节点与地电压之间；以及第四NMOS晶体管，串联连接在第二节点与地电压之间。第三和第四晶体管中的每一个的栅极均连接至锁存使能信号线，由此用于控制存储器适配锁存器。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 辅助 电路 | ||
【主权项】：
1.一种写入辅助电路，包括：第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，串联连接在电源电压与第一节点之间，所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极连接至第二节点；第一可切换导电路径，位于所述第一节点与地电压之间；第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，串联连接在所述电源电压与第三节点之间，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极连接至第四节点；第二可切换导电路径，位于所述第三节点与所述地电压之间；第三NMOS晶体管，串联连接在所述第四节点与数据线之间；第一分流器，连接所述第四节点和所述数据线；第四NMOS晶体管，串联连接在所述第二节点与反相数据线之间；以及第二分流器，连接所述第二节点和所述反相数据线。
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