[发明专利]一种存储器的制备方法和存储器

摘要

本发明公开了一种存储器的制备方法和存储器。该方法包括：提供经过抛光的具有有源层、浅沟道隔离结构和浮栅的半导体基底，其中，半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层；采用湿法刻蚀工艺在存储单元区的浮栅之间的浅沟道隔离结构上形成第一凹槽；去除光刻胶层以及第一凹槽内残留的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀第一凹槽形成第二凹槽，其中，第二凹槽的底部高于浮栅的底部；在存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在外围电路区形成外围栅极。本发明实施例在进行干法刻蚀前，不在外围电路区设置光刻胶层，可以省去去除光刻胶的工艺，简化了存储器的制备流程，提高了制备效率。

主权项

1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供经过抛光的具有有源层、浅沟道隔离结构和浮栅的半导体基底，其中，所述半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；采用光刻工艺在所述外围电路区形成光刻胶层；采用湿法刻蚀工艺在所述存储单元区的所述浮栅之间的所述浅沟道隔离结构上形成第一凹槽；去除所述光刻胶层以及所述第一凹槽内残留的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一凹槽形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽的底部高于所述浮栅的底部；在所述存储单元区形成依次层叠的层间绝缘层和控制栅，以及在所述外围电路区形成外围栅极。