[发明专利]一种CMOS后端工艺嵌入式的铁电随机存储器及其制备方法

摘要

本发明提出一种高存储密度、低工艺成本、CMOS后端工艺嵌入式的铁电随机存储器及其制备方法。利用新型铁电材料氧化铪或者氧化锆的低温退火工艺特点，结合合适的上下金属电极，将该电容集成到CMOS后端工艺线中，实现信息存储、读取。此外，本发明还公开了一种与0.13μm CMOS工艺线完全兼容、不需要特殊阻挡层及封装技术、抗辐照性能好的铁电存储器的制备方法。

主权项

1.一种CMOS后端工艺嵌入式的铁电随机存储器的制备方法，具体步骤包括：步骤一：金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，以及多层通孔、层间介质、金属互联，直至最后一层金属布线形成之前；步骤二：利用化学机械抛光技术将通孔填充后的表面磨平，改善表面粗糙度；步骤三：制备铁电电容的金属底电极；步骤四：制备铁电层；步骤五：制备铁电电容的金属顶电极；步骤六：金属‑铁电层‑金属电容结构刻蚀，将铁电电容集成在经过化学机械抛光工艺的通孔的正上方；步骤七：钝化层的形成以及最后一层通孔的刻蚀和填充；步骤八：外围电路互联以及封装，完成铁电随机存储器的制备。