[发明专利]一种针对浮栅的漏电点定位方法有效
| 申请号： | 201810356398.0 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108614197B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 苏秋雷;李桂花;仝金雨;蔚倩倩;杜晓琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种针对浮栅的漏电点定位方法，包括：步骤S1，提供一浮栅器件；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺去除金属连线层；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺去除隔离层；步骤S4，采用一第三刻蚀工艺去除保护层；步骤S5，采用一第四刻蚀工艺去除控制栅层；步骤S6，采用一切割工艺对浮栅层连同复合绝缘层进行纵向切割，形成相互分隔的多个切割块；步骤S7，采用电子/离子注入工艺对每个切割块的上表面进行注入，并根据每个切割块的明暗情况对漏电点进行定位；其中，第四刻蚀工艺为采用胆碱溶液的湿法刻蚀工艺；能够精确定位至复合绝缘层中，进而精确定位浮栅中漏电点的位置，保证了击穿电压测试的有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 漏电 定位 方法 | ||
【主权项】：
1.一种针对浮栅的漏电点定位方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一浮栅器件，所述浮栅器件包括由下至上依次堆叠的浮栅层、复合绝缘层、控制栅层、保护层、隔离层以及金属连线层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺去除所述金属连线层；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺去除所述隔离层，以将所述保护层的上表面予以暴露；步骤S4，采用一第三刻蚀工艺去除所述保护层，以将所述控制栅层的上表面予以暴露；步骤S5，采用一第四刻蚀工艺去除所述控制栅层，以将所述复合绝缘层的上表面予以暴露；步骤S6，采用一切割工艺对所述浮栅层连同所述复合绝缘层进行纵向切割，形成相互分隔的多个切割块；步骤S7，采用一电子/离子注入工艺对每个所述切割块的上表面进行注入，并根据每个所述切割块的明暗情况对漏电点进行定位；其中，所述步骤S5中，所述第四刻蚀工艺为采用胆碱溶液的湿法刻蚀工艺。
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