[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

摘要

本发明提供一种LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。本发明的LTPS TFT基板的制作方法，在利用光阻层在层间绝缘层和栅极绝缘层上对应于源漏极接触区的上方蚀刻形成过孔之后，并在剥离去除光阻层之前，在所述过孔位置处沉积导电材料而在过孔内形成与所述源漏极接触区相接触的导电层，后续使得源漏极与过孔内的导电层相接触进而与源漏极接触区相导通，从而能够有效改善Re‑etch LDD技术中源漏极与源漏极接触区接触阻抗偏高的不足，进而在不影响产品特性的情况下，可通过Re‑etch LDD技术减少一道光罩制程，并且使过孔与光阻层之间形成底切结构，避免所沉积的导电材料对剥离光阻层产生影响，保证光阻层的剥离效率。

主权项

1.一种LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上由下至上依次形成缓冲层(20)、多晶硅有源层(30)、栅极绝缘层(40)、栅极(50)及层间绝缘层(60)；所述多晶硅有源层(30)具有位于两端的源漏极接触区(31)、位于中间的沟道区(32)及位于源漏极接触区(31)与沟道区(32)之间的LDD区(33)；所述栅极绝缘层(40)在所述缓冲层(20)上覆盖所述多晶硅有源层(30)；所述栅极(50)在所述栅极绝缘层(40)上对应位于所述多晶硅有源层(30)的沟道区(32)的上方；所述层间绝缘层(60)在所述栅极绝缘层(40)上覆盖所述栅极(50)；步骤S2、在所述层间绝缘层(60)上涂布光阻，经曝光、显影后得到光阻层(90)，所述光阻层(90)对应于所述源漏极接触区(31)的上方具有过孔图案(95)而露出层间绝缘层(60)；步骤S3、以所述光阻层(90)为遮蔽层，对所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)进行干法蚀刻，在所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)上对应于所述源漏极接触区(31)的上方形成过孔(65)，使形成的所述过孔(65)和光阻层(90)之间形成底切结构，所述过孔(65)的纵截面呈倒置梯形，所述光阻层(90)伸到所述过孔(65)上方而遮盖所述过孔(65)孔壁的顶部；步骤S4、在所述过孔(64)位置处沉积导电材料，该导电材料穿过所述光阻层(90)在过孔(65)内形成与所述源漏极接触区(31)相接触的导电层(70)，剥离去除所述光阻层(90)及光阻层(90)上的导电材料；步骤S5、在所述层间绝缘层(60)上沉积并图案化形成源漏极(80)，所述源漏极(80)与所述过孔(65)内的导电层(70)相接触进而与所述源漏极接触区(31)相导通。