[发明专利]光耦合器在审
| 申请号： | 201810357457.6 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108735853A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋国军;黄柏杰;李名京 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽，其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 连接区 发光芯片 感光芯片 电性连接 光耦合器 绝缘结构 基板 隔离电场 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种光耦合器，包括：至少一个发光芯片，设置于第一连接区上，用以发射至少一个不可见光线；至少一个感光芯片，设置于第二连接区上，用以接收所述至少一个不可见光线；绝缘结构，设置于所述至少一个发光芯片和所述至少一个感光芯片之间，用于隔离电场；第一胶体，用于覆盖所述至少一个发光芯片、所述至少一个感光芯片、所述第一连接区、所述第二连接区以及所述绝缘结构；第二胶体，用于覆盖所述第一胶体；以及基板，具有凹槽；其中，所述第一连接区和所述第二连接区设置在所述基板中并且具有导电特性，所述至少一个发光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输入端的所述第一连接区电性连接，所述至少一个感光芯片设置于所述凹槽内且与作为信号输出端的所述第二连接区电性连接，所述第一胶体和所述第二胶体设置于所述凹槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
