[发明专利]集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质在审

专利信息
申请号: 201810359536.0 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN108595825A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 睿力集成电路有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 由元;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种集成电路设计的仿真方法、设备及计算机可读存储介质。该方法包括:创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表;获取第一金属线的输入参数;根据输入参数从第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数,以获取与第一样本参数相对应的第一电容值,并根据第一电容值计算出第一寄生电容;根据输入参数从第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数,以获取与第二样本参数相对应的第二电容值,并根据第二电容值计算出第二寄生电容;计算第一金属线的电阻;根据第一寄生电容、第二寄生电容和第一金属线的电阻创建第一金属线的模拟电路单元;以及仿真该模拟电路单元。本发明可以缩减集成电路设计的开发周期,降低设计成本。
搜索关键词: 寄生电容 样本参数 电容 金属线 集成电路设计 输入参数 计算机可读存储介质 模拟电路单元 电阻 匹配 开发周期 创建
【主权项】:
1.一种集成电路设计的仿真方法,其特征在于,包括:创建单位长度下的第一寄生电容数据表和第二寄生电容数据表,其中,所述第一寄生电容数据表包括多组第一样本参数以及多个与所述第一样本参数相对应的第一电容值,所述第二寄生电容数据表包括多组第二样本参数以及多个与所述第二样本参数相对应的第二电容值;获取第一金属线的输入参数,其中,所述输入参数包括所述第一金属线的长度、宽度、第一间距、以及第二金属线对所述第一金属线的覆盖度,其中,所述第二金属线与所述第一金属线布置在相邻层中,所述第一间距是所述第一金属线与所述第一金属线相邻的第三金属线之间的间距;根据所述输入参数从所述第一寄生电容数据表中匹配第一样本参数,以获取与所述第一样本参数相对应的第一电容值;并根据所述第一电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第一寄生电容,其中,所述第一寄生电容是所述第一金属线与所述第三金属线之间的耦合电容;根据所述输入参数从所述第二寄生电容数据表中匹配第二样本参数,以获取与所述第二样本参数相对应的第二电容值;并根据所述第二电容值、所述第一金属线的长度以及所述单位长度计算出第二寄生电容,其中,所述第二寄生电容是所述第一金属线与所述第二金属线之间的耦合电容;根据所述第一金属线的金属方块电阻以及所述第一金属线的长度和宽度计算所述第一金属线的电阻;根据所述第一寄生电容、所述第二寄生电容和所述第一金属线的电阻创建所述第一金属线的模拟电路单元;以及仿真所述模拟电路单元。
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