[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备有效
申请号: | 201810360491.9 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN108538857B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 李元世 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/123;H10K59/12 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 车玉珠;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:第一导电层,选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极;第二导电层,位于与第一导电层不同的层中;以及连接节点,将第一导电层联接至第二导电层。这里,TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔,第一接触孔位于第一导电层中,并且第二接触孔位于第二导电层中,第二接触孔是与第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与第一接触孔分离,并且连接节点的至少一部分位于节点接触孔中。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 包括 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板,包括:开关TFT,包括源电极和漏电极;驱动TFT,包括连接到所述源电极或所述漏电极的栅电极;电容器;节点接触孔,设置在所述电容器的第一电极处;以及连接节点,所述连接节点延伸穿过所述节点接触孔以与所述驱动TFT的所述栅电极接触,并且延伸穿过所述节点接触孔以与所述电容器的所述第一电极接触,所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第一大致平坦表面上与所述驱动TFT的所述栅电极直接接触,并且所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第二大致平坦表面上与所述电容器的所述第一电极直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的