[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备有效

专利信息
申请号: 201810360491.9 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN108538857B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 李元世 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H10K59/123;H10K59/12
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 车玉珠;康泉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:第一导电层,选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极;第二导电层,位于与第一导电层不同的层中;以及连接节点,将第一导电层联接至第二导电层。这里,TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔,第一接触孔位于第一导电层中,并且第二接触孔位于第二导电层中,第二接触孔是与第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与第一接触孔分离,并且连接节点的至少一部分位于节点接触孔中。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 包括 显示 设备
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板,包括:开关TFT,包括源电极和漏电极;驱动TFT,包括连接到所述源电极或所述漏电极的栅电极;电容器;节点接触孔,设置在所述电容器的第一电极处;以及连接节点,所述连接节点延伸穿过所述节点接触孔以与所述驱动TFT的所述栅电极接触,并且延伸穿过所述节点接触孔以与所述电容器的所述第一电极接触,所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第一大致平坦表面上与所述驱动TFT的所述栅电极直接接触,并且所述连接节点在大致平行于所述TFT阵列基板的第二大致平坦表面上与所述电容器的所述第一电极直接接触。
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