[发明专利]多通道NAND Flash控制器及移动存储设备在审
| 申请号： | 201810364432.9 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108536623A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨继光;吴大畏;李晓强 | 申请（专利权）人： | 深圳市得一微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F13/42 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国;高丽晶 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多通道NAND Flash控制器及移动存储设备，所述多通道NAND Flash控制器包括：MCU内核和分别对应Flash存储器的Flash主控；所述MCU内核，用于获取主机发送的读写指令，将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，将所述Flash操作指令序列写入命令缓存器，同时控制第一DMA控制器，完成Host和数据缓存器之间的数据写入和读取操作；所述Flash主控通过控制Flash存储器和第二DMA控制器，完成数据缓存器和Flash存储器之间的数据写入和读取操作。本发明提供的多通道NAND Flash控制器，通过与通用MCU的IO资源交互，完成对Flash的写入和读取操作，与其他存储主控需要复杂的接口协议相比，更简单灵活，降低了开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多通道 读取操作 移动存储设备 写入 数据缓存器 操作指令 读写指令 内核 主控 存储主控 接口协议 写入命令 主机发送 缓存器 通用 灵活 转换 开发 | ||
【主权项】：
1.一种多通道NAND Flash控制器，其特征在于，所述多通道NAND Flash控制器包括MCU内核和分别对应Flash存储器的Flash主控；所述MCU内核，用于获取主机发送的读写指令，将所述读写指令转换为Flash操作指令序列，将所述Flash操作指令序列发送至对应的命令缓存器，并控制第一DMA控制器，完成主机和数据缓存器之间的数据写入和读取操作；所述Flash主控，用于接收所述命令缓存器的Flash操作指令序列，根据所述Flash操作指令序列并控制第二DMA控制器，所述第二DMA控制器为与若干命令缓存器一一对应连接的DMA控制器，完成数据缓存器和Flash存储器之间的数据写入和读取操作。
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