[发明专利]一种外壳的制造方法和外壳在审

专利信息
申请号: 201810367558.1 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN108642461A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 冷雪翔 申请(专利权)人: 维沃移动通信有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06
代理公司: 北京远志博慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11680 代理人: 陈红
地址: 523841 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请实施例提供一种外壳的制造方法和外壳,涉及终端技术领域,用于提供一种外观效果与陶瓷类似的外壳。该方法包括:将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内,并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值;向磁控溅射真空腔内充入氮气,在透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层;向磁控溅射真空腔内充入氧气,在第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层;向磁控溅射真空腔内充入氮气,在第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层;向磁控溅射真空腔内充入氧气,在第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。本申请实施例用于制造外观效果与陶瓷类似的外壳。
搜索关键词: 磁控溅射 真空腔 氮化硅膜层 二氧化硅膜层 氮气 透光基板 外观效果 氧气 陶瓷 制造 工艺参数调节 溅射成膜 终端技术 硅靶材 预设 申请
【主权项】:
1.一种外壳的制造方法,其特征在于,包括:将透光基板放置于安装有硅靶材的磁控溅射真空腔内,并将溅射成膜的工艺参数调节为预设值;向所述磁控溅射真空腔内充入氮气,在所述透光基板的第一面上形成第一氮化硅膜层;向所述磁控溅射真空腔内充入氧气,在所述第一氮化硅膜层上形成第一二氧化硅膜层;向所述磁控溅射真空腔内充入氮气,在所述第一二氧化硅膜层上形成第二氮化硅膜层;向所述磁控溅射真空腔内充入氧气,在所述第二氮化硅膜层上形成第二二氧化硅膜层。
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