[发明专利]制备多层陶瓷电子元件的方法有效
| 申请号： | 201810372105.8 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108597868B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 全炳俊;李圭夏;具贤熙;金昶勋;朴明俊 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/012 | 分类号： | H01G4/012;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 祝玉媛;金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备多层陶瓷电子元件的方法，该方法包括：制备含有玻璃的用于外部电极的浆糊；通过使用用于外部电极的浆糊在烧结的芯片上形成外部电极，内部电极层压在烧结的芯片中；以及烧结所述外部电极，使得在所述内部电极和所述外部电极之间的接触面上形成有缓冲层，其中，在用于外部电极的浆糊的制备过程中，通过调节玻璃中含有的碱金属和氧化钒的含量控制所述缓冲层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多层 陶瓷 电子元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备多层陶瓷电子元件的方法，该方法包括：制备含有玻璃的用于外部电极的浆糊；通过使用用于外部电极的浆糊在烧结的芯片上形成外部电极，内部电极层压在烧结的芯片中；以及烧结所述外部电极，使得在所述内部电极和所述外部电极之间的接触面上形成有缓冲层，其中，在用于外部电极的浆糊的制备过程中，通过调节玻璃中含有的碱金属和氧化钒的含量控制所述缓冲层的厚度。
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