[发明专利]像素结构及其制备方法在审
申请号: | 201810372612.1 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN110098219A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 史文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王雯雯 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种像素结构及其制备方法。像素结构包括基板、平坦层、像素电极层以及像素界定层;平坦层连接在所述基板上,平坦层的上表面图案化有多个凹槽以及多个连接过孔,连接过孔从所述平坦层上表面贯穿至基板;像素电极层连接在平坦层的上表面上,并且像素电极层封闭连接过孔朝向平坦层的开口,位于连接过孔内的像素电极层连接平坦层,像素电极层与各个凹槽对应的部分均图案化形成隔断。像素界定层覆盖在连接过孔内并与像素电极层连接。该像素结构成本低和产能高。 | ||
搜索关键词: | 平坦层 像素电极层 像素结构 上表面 基板 像素界定层 图案化 制备 封闭连接 隔断 产能 开口 贯穿 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括基板、平坦层、像素电极层以及像素界定层;所述平坦层连接在所述基板上,所述平坦层的上表面图案化有多个凹槽以及多个连接过孔,所述连接过孔从所述平坦层的上表面贯穿至所述基板;所述像素电极层连接在所述凹槽外侧且位于所述平坦层的上表面上,并且所述像素电极层覆盖所述连接过孔;所述像素界定层位于所述连接过孔处的像素电极层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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