[发明专利]法拉第屏蔽桶、环形件、腔室组件及重溅射腔室有效
| 申请号： | 201810373383.5 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110396663B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 刘建生;侯珏;张彦召;佘清 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/02;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种法拉第屏蔽桶，在法拉第屏蔽桶的与环形件形成间隙的位置处形成有辅助结构，辅助结构用于减少法拉第屏蔽桶和环形件之间形成的分布电容的平行板正对面积与平行板间距离之间的比值，以减小分布电容的容值大小。还提供一种环形件，在环形件的与法拉第屏蔽桶形成间隙的位置处形成有辅助结构，辅助结构用于减少法拉第屏蔽桶和环形件之间形成的分布电容的平行板正对面积与平行板间距离之间的比值，以减小分布电容的容值大小。本发明提供的腔室组件和重溅射腔室，可以提高重溅射刻蚀的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 法拉第 屏蔽 环形 组件 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种法拉第屏蔽桶，用于与接地的环形件绝缘设置，且二者之间形成有间隙，其特征在于，所述间隙具有能够防止等离子体进入该间隙的深宽比；在所述法拉第屏蔽桶的与所述环形件形成间隙的位置处形成有辅助结构，所述辅助结构用于减少所述法拉第屏蔽桶和所述环形件之间形成的分布电容的平行板正对面积与平行板间距离之间的比值，以减小所述分布电容的容值大小。
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