[发明专利]单电容占空比可控振荡器

摘要

本发明公开了一种单电容占空比可控振荡器，包括第一电流源I1、第一、二、三、四、五、六、七、八NMOS管、第一电容C1、第一电阻R1、第一反相器INV1、第一、二、三、四、五、六、七PMOS管；第一电容C1为充放电电容，第四、六NMOS管构成放电支路，第三PMOS管MP3构成充电支路，调节第三、四NMOS管镜像电流源的比例即可控制输出电压的占空比。本发明通过使用两条独立支路对第一电容C1进行充放电操作，可获得任意所需占空比；通过第七、八NMOS管精确设置了电路充放电的上下翻转点，降低了电路复杂度和功耗；同时第七、八NMOS管通过对电路上下翻转点引入迟滞，提高了电路抗干扰能力。

主权项

1.单电容占空比可控振荡器，其特征在于，包括第一电流源I1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第一电容C1、第一电阻R1、第一反向器INV1、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7；第一电容C1为充放电电容，第四NMOS管MN4与第六NMOS管MN6构成放电支路，第三PMOS管MP3构成充电支路，调节第三PMOS管MP3与第四NMOS管MN4镜像电流源的比例即可控制输出电压的占空比；第八NMOS管MN8配合设置第二PMOS管MP2镜像电流源的比例大于第四NMOS管MP4镜像电流源的比例，用于对第一电容C1转换充放电状态时引入迟滞效果，从而增加电路的抗干扰能力；第七PMOS管MP7用于确保在电路初始上电时C点电压为低，防止逻辑错误。