[发明专利]一种位于衬底上的finFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201810376773.8 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427564B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;王志豪;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法包括在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成氧化物层以及在氧化物层上形成多晶硅结构。该方法还包括修改多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸。该方法还包括用栅极结构替换修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 位于 衬底 finfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，所述方法包括：在所述衬底上形成鳍结构；在所述鳍结构上形成保护层，其中，所述保护层包括位于所述鳍结构之上的顶面；在所述保护层上形成多晶硅结构；修改所述多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸，其中，所述修改的多晶硅结构的第一部分在所述顶面之上延伸，而所述修改的多晶硅结构的第二部分在所述顶面之下延伸；以及用栅极结构替换所述修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸，其中，所述栅极结构的第一部分在所述顶面之上延伸，而所述栅极结构的第二部分在所述顶面之下延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
