[发明专利]动态随机存取存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，包括制备动态随机存取存储器的字线阵列、位线阵列、接触栓阵列、接触焊盘阵列及电容器阵列，每个接触焊盘均连接于一个接触栓上方；其中，相邻两列接触焊盘的偏移方向相反，使所述接触焊盘阵列呈六方排布；每个电容器均连接于一个所述接触焊盘的上方。本发明制备的动态随机存取存储器中，平面布局结构由接触栓的四方排布变换为电容器的六方排布，可以提高存储单元中电容器的面积，获得更大的电容值。本发明在实现了电容器的六方布局及存储单元面积为6F2的同时，保证有源区、字线、位线均为直线型，布局更为简单，有利于降低工艺复杂性，提高存储器的稳定性。

主权项

1.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上表面的多层膜结构以及位于所述多层膜结构上表面的接触焊盘；S2：在所述半导体结构上形成一覆盖所述接触焊盘的钝化层；S3：在所述钝化层上依次形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层及第二支撑层；S4：形成上下贯穿所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层、第一牺牲层及所述钝化层的多个通孔，每个通孔分别位于一个所述接触焊盘的正上方，并暴露出所述接触焊盘的上表面；S5：在所述通孔的侧壁及底部形成第一导电材料层；S6：形成多个上下贯穿所述第二支撑层的开口，所述开口暴露出所述第二牺牲层的一部分，并且在打开所述开口的同时形成所述开口的周围布局；S7：以所述开口为蚀刻液通过窗口，湿法腐蚀去除所述通孔周围的所述第二牺牲层；S8：去除部分所述第一支撑层，并湿法腐蚀去除所述通孔周围的所述第一牺牲层；以及S9：形成覆盖所述第一导电材料层内表面及外表面的高K介质层，并形成覆盖所述高K介质层外表面的第二导电材料层；其中，所述第一导电材料层与第二导电材料层分别作为电容器的下极板与上极板，所述第一导电材料层、高K介质层及第二导电材料层组成双面电容器结构。