[发明专利]一种提高硅原子的悬挂键键合的方法

摘要

本发明公开了一种提高硅原子的悬挂键键合的方法，其属于半导体领域的技术，包括：步骤S1，对一晶圆表面进行氧化，形成一氧化硅层，所述氧化硅层的上表面具有悬挂键；步骤S2，于所述氧化硅层的上表面设置一介质层；步骤S3，在预设的第一温度下对所述介质层的表面进行富氧化处理；步骤S4，于所述介质层的上表面设置一保护层；步骤S5，对所述晶圆进行退火处理。该技术方案的有益效果是：本发明通过在保护层表面通以氧化气体，氧化气体中的氧离子穿透介质层到达晶圆表面，再经过高温退火处理后，使得晶体表面的硅原子不饱和键和氧离子键合，从而提高了晶圆表面的硅原子悬挂键的键合。

主权项

1.一种提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，对一晶圆表面进行氧化，形成一氧化硅层，所述氧化硅层的上表面具有悬挂键；步骤S2，于所述氧化硅层的上表面设置一介质层；步骤S3，在预设的第一温度下对所述介质层的表面进行富氧化处理；步骤S4，于所述介质层的上表面设置一保护层；步骤S5，对所述晶圆进行退火处理。