[发明专利]形成钨膜的方法有效
申请号: | 201810384157.7 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108796470B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 前川浩治;鲛岛崇;青山真太郎;铃木幹夫;有马进;松本淳志;柴田直树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/455;H01L21/285;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种形成钨膜的方法,该钨膜具有低的电阻。在一个方式中,提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序:在基板上形成包含金属的不连续膜;以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中,例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中,例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成钨膜的方法,包括以下工序:在基板上形成包含金属的不连续膜;以及在上面形成了所述不连续膜的所述基板上形成钨膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的