[发明专利]集成电路装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201810384324.8 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109786332A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈彦廷;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供具有侧壁间隔物的集成电路装置，以及具有此间隔物的集成电路装置的形成方法。在一些范例中，此方法包含接收工件，其包含基底和位于基底上的栅极堆叠。形成间隔物于栅极堆叠的侧表面上，间隔物包含低介电常数介电材料的间隔层。形成源极/漏极区于基底内，以及形成源极/漏极接点耦接至源极/漏极区，使得间隔物的间隔层位于源极/漏极接点与栅极堆叠之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路装置 栅极堆叠 间隔物 基底 源极/漏极区 源极/漏极 间隔层 低介电常数介电材料 侧壁间隔物 侧表面 隔物 耦接 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：接收一工件，其包含一基底和一栅极堆叠位于该基底上；形成一间隔物于该栅极堆叠的一侧面上，其中该间隔物包含一间隔层具有一低介电常数介电材料；形成一源极/漏极区于该基底内；以及形成一源极/漏极接点耦接至该源极/漏极区，其中该间隔物的该间隔层位于该源极/漏极接点与该栅极堆叠之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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