[发明专利]电子装置在审
| 申请号： | 201810387837.4 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108933124A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 西山知宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;戚传江 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子装置，提高电子装置的性能。电子装置具有与具备第1功率晶体管的半导体装置(PAC1)连接的母线(BSP)和与具备第2功率晶体管的半导体装置(PAC2)连接的母线(BSN)。母线(BSP)和母线(BSN)分别具备隔着绝缘板(IF1)彼此相对并且沿着与基板(WB)的上表面(WBt)交叉的Z方向延伸的部分(BP1)。母线(BSP)具备位于部分(BP1)与端子(PTE)之间且向远离母线(BSN)的X方向延伸的部分(BP2)以及位于部分(BP2)与端子(PTE)之间且沿X方向延伸的部分(BP3)。部分(BP3)在Z方向上的延伸距离(D3)比部分(BP2)在X方向上的延伸距离(D2)短。 | ||
| 搜索关键词： | 母线 电子装置 半导体装置 功率晶体管 延伸距离 彼此相对 方向延伸 绝缘板 上表面 基板 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，其特征在于，具有：第1半导体部件，具有第1功率晶体管、与所述第1功率晶体管的第1发射极电连接的第1发射极端子、与所述第1功率晶体管的第1集电极电连接的第1集电极端子以及与所述第1功率晶体管的第1栅极电连接的第1栅极端子；第2半导体部件，具有第2功率晶体管、与所述第2功率晶体管的第2发射极电连接的第2发射极端子、与所述第2功率晶体管的第2集电极电连接的第2集电极端子以及与所述第2功率晶体管的第2栅极电连接的第2栅极端子；基板，具有沿着第1方向以相互相邻的方式搭载所述第1半导体部件以及所述第2半导体部件的第1主面；壳体，具有收容搭载有所述第1半导体部件和所述第2半导体部件的所述基板的收容部以及在所述基板的上方沿着所述第1方向排列的第1外部端子部和第2外部端子部；第1导体板，具有在剖视时与所述第1半导体部件的所述第1集电极端子接合并且沿所述第1方向延伸的第1接合部以及在所述壳体的所述第1外部端子部的上方露出到所述壳体的外部的露出部；以及第2导体板，具有在剖视时与所述第2半导体部件的所述第2发射极端子接合并且沿所述第1方向延伸的第2接合部以及在所述壳体的所述第2外部端子部的上方露出到所述壳体的外部的露出部，所述第1导体板以及所述第2导体板分别具备隔着绝缘材料彼此相对、并且在剖视时沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第1部分，所述第1导体板具备位于所述第1部分与所述露出部之间并且向远离所述第2导体板的所述第1方向延伸的第2部分以及位于所述第2部分与所述露出部之间并且沿所述第2方向延伸的第3部分，所述第1导体板以及所述第2导体板的所述第1部分、所述第1导体板的所述第2部分以及所述第1导体板的所述第3部分分别配置于所述壳体的所述收容部内，在剖视时，所述第1导体板的所述第1部分与所述第2导体板的所述第1部分之间的在所述第1方向上的间隔小于所述第1半导体部件与所述第2半导体部件之间的在所述第1方向上的间隔，在剖视时，所述第1导体板的所述露出部与所述第2导体板的所述露出部之间的在所述第1方向上的间隔大于所述第1导体板的所述第1部分与所述第2导体板的所述第1部分之间的在所述第1方向上的间隔，所述第3部分在所述第2方向上的延伸距离比所述第2部分在所述第1方向上的延伸距离短。
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