[发明专利]用于FDSOI的电源轨及MOL构造

摘要

本发明涉及用于FDSOI的电源轨及MOL构造，其提供在平面晶体管的源极/漏极与局部互连或第一金属化层电源轨之间的一种电性连接，包括电性耦合至该源极/漏极的第一接触区，电性耦合至该第一接触区及该晶体管的栅极的第二接触区，以及电性耦合至该局部互连或第一金属化层电源轨的V0。沟槽硅化物不存在于该晶体管中。也提供一种基于接触区的电源轨脊柱，其包括第一接触区，第二接触区，以及在该第一接触区上面且电性耦合至该第一接触区的邻近V0双向卡钉，以及在该第二接触区及该V0双向卡钉上面且电性耦合至该第二接触区及该V0双向卡钉的V0。

主权项

1.一种半导体结构，包含：至少一半导体装置的至少一源极或漏极区；用于该至少一半导体装置的互连结构的第一金属化层；电性耦合至该至少一源极或漏极区的至少一第一接触区；电性耦合至该至少一第一接触区的至少一第二接触区；电性耦合至该至少一第二接触区的至少一V0，该第一金属化层电性耦合至该至少一V0；至少一第一栅极与至少一第二栅极，其中，该至少一第一栅极与该至少一第二栅极为金属栅极，其中，该至少一源极或漏极区设置成邻近该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个，以及其中，该至少一第二接触区也电性耦合至该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个；以及其中，沟槽硅化物不存在于该半导体结构中，以及其中，该半导体结构是平的。